【半导体材料】上集 - 人民教育.pdf
高等学校教学用书 半导体村料 BANDAOTI CAILIAO 上 册 莫党著
上册目录 序 1V 引言 第一章和硅的化学制备 1鳍的来源、富集和制取硅的来源、制取和化学提第二章和硅的区域提純 16 3分凝現象.4正常凝固.5区域提原理鳍的区域提硅的区域提.8材料度的鉴定参考文献.第三章 鳍和硅的单晶生长9从液相中生长单晶的过程和理 10鳍和硅的单晶生长方法生长、硅晶体的新方法12单晶的驗和晶向测定参考文献 第四章 半导体中的位錯13位錯的产生
引言 半导体材料是多种多样的?,其中和硅在近十多年来的科 学研究和技术应用中占有特别重要的位置,这与晶体管的迅速发 展有密切的关系.相应地在和硅材料的制备及其性能控制方面 获得了許多重要的进展,其中包括提(特别是区域提純)、单晶生 长、杂质的研究和控制、缺陷(包括位錯)的研究和控制等等。其他半 导体材料,尤其是化合物半导体的研究规模和应用范圍也越来越 扩大,其中Ⅲ-V族化合物得到很大的发展和重。化合物半导体材 料除了与鳍、硅等元素半导体相似,有着提、晶体生长、杂质和缺 陷的控制等問题之外,还有化合物的合成,化学比的偏离等問题。 
