【半导体材料】下集 - 人民教育.pdf
高等学校教学用书 半导体材料 BANDAOTI CAILIAO 下 册 莫党著
下册目录 第六章Ⅲ-V族化合物的相平衡和制备23固液平衡相图 -209 24蒸气压压力和温度的控制.26原料提27化合物的合成和单晶生长 s28化合物的区域提.参考文献 第七章Ⅲ-V族化合物的特性和杂质29化合物的化学键与晶体結构30极性对禁带寬度和裁流子迁移率的影响.31极性对腐触和晶体生长的影响32Ⅲ-V族化合物中的杂质33Ⅲ-V族化合物之間的固溶体参考文献
第六章Ⅲ-V族化合物的相平衡和制备。Ⅲ-V族化合物是由元素周期表中第ⅢB族中的一种元素与第 VB族中另一种元素(参见表6)粗成的化合物。因此,与以前讲过 的、硅不同,我們必须考虑二种元素在不同外界条件(如温度、压 力)下,具有不同組分时的問题,即二元系的平衡問题。因此,有必 要去了解用来描述这些平衡状态的相图.本节首先讨固相与液 相平衡的相图,下节再讨直接描述与气相平衡有关的相图,即专 門来分析蒸气压这問题.表6 周期表的一部分 族 ⅢB IVB VB 周期 A1 Si P Ga Ge As In Sn Sb 一些Ⅲ-V族化合物(InSb,GaSb,AlSb,InAs,GaAs, 
