【半导体材料】周永溶编.pdf
鉴于已往高等院校工科电子类专业没有开设这门课,也无这方面的教材,因此本书在内容上为初学者 若重介绍基础理论和基本原理。并以此为起点述了晶体生长、半导体单晶材料储、硅、Ⅲ-V族化合 物、ⅡV族化合物以及三元化合物半导体单品材料生长制备的基本理论和制备工艺的基本原理。目的是 全书共七章:品体生长理论基础.单晶生长方法的理论分析.锗、硅单晶材料的制备:硅单品中的峡 本教材可供工科半导体、电子元器件、电子材料等专业师生使用.也可供该专业研究生和有关的工程 半导体材料 周永溶编 * 各地经售 787×1092毫米16.
编者 前言 本教材是按照中国电子工业总公司工科电子类专业教材1991.1995年编审出版规 划,由工科电子类专业教材编审委员会半导体物理与器件教材编审小组征稿、推荐出 本教材由北京理工大学周永溶副教授担任主编,哈尔滨工业大学周士仁教授担任主 本课程的参考时数:作为倒重半导体器件专业的本科生,以二、三、五、七章为主 要讲授内容,60学时为宜.对侧重半导体材料专业的本科生、全书讲解,100学时较 本教材共七章,以半导体硅单晶材料和二元化合物半导体材料为主、兼顾三元化合 物材料。
(二、单品体中杂质浓度的均匀性(电阻率的均匀性)及其控制 第四章锗硅单晶材料的制备 4-1多晶硅的制备 一、工业硅的制备 二、四.化(Si 
