【半导体器件制造技术】.pdf
牛导体器件制造技术 电三选 内部瓷料 1961.
S3.微波两管94.特种两趣管.第七章晶体三极警的制造 S1.合金结三極管52.生长結三極管.扩散管S4.微合金品体管S5.功率三管S6.台面式三管.S7.点接触三管.第八章 晶体二、三极管的成品驗 S1.伏安特性的示波器显示法.S2.二概管电参数的测S3.三極管的电参数测量第九章其它半导体器件的制造 S1.氧化亚網整流器.S2.硒整流器.
的.第二、在具空条件下工作很清溟。这里所設的清潔的思是和空偶剩余气体的分子 阅的化学作用可以忽骼。牛导体无素Ge和Si都必须是超純度的,为了制备品体管要求获得 贺原子。为了要获得这样超键变材料,就必须在真空(10mimHg以上)或保护气氛下进行 区城提純和拉单晶。如用保护气体,对气体要求經过周密的净化。其沌度达到光純.这一方面可以防止空气。水蒸汽的沾污,另一方面可以防止Ge和Si在商温时的氧化。就 以Ge来,在温度达到600一700C时则迅速的氧化生成二氧化。氨在700～800℃下与 或二氧化作用可生成氮化(GegN)。又如象牛导体工案中所用的杂質如毓,網 也用区城熔炼来提純。 