【半导体材料硅】科学.pdf
物理丛 半导体材料硅 清华大学无线电电子学系半导体教研粗选器
目录.者前言 硅的最新进展 N.B.Hannay 硅和的性质(II)E.M.Conwell 用湿处理除去硅中的确 H.C.Theuerer 硅的浮带提純 E.Buehler 改进了的切克劳斯基拉晶炉 K.H.J.C.Marshall,R.Wickham 利用梯耳-利特耳(Teal-Little)方法生长大直径硅和晶体 W.R.Runyan无位錯单晶硅的生长 W.C.Dash 籽晶的旋轉对硅晶体的影响A.I.Goss,R.E.
者前言 在这本群丛中,我們收集了一些有关半导体材料硅的制备、提 純、参量测量、杂行为以及一般物理性的文章,我們的目的 是:通过这本书向讀者介绍一些有关硅材料制备的知和国外在 这方面的某些进展,所收入的29篇文章大体可分为综述、区域提純、单晶制备及 其性能的控制、杂盾的分析和单晶体的性能测試、杂的作用及热 处理等六个部分.第一篇为综述性文章,选用Hannay的硅的最新进展”一文.此文内容虽比较旧,其中的个别观点与新近的研究结果有些出入,但它对硅的制备工艺、杂质作用、物理性以至器件等有关方面的 早期工作作了比较全面的介绍,因此还是很有价值的,为了弥补 Hannay文章的不足,选了第二篇C 