【半导体材料硅】科学.pdf

物理丛半导体材料硅清华大学无电电子学系半导体教研租选器必社

目录者前言硅的最新进展 N.B.Hannay 硅和的性质(II)E.M.Conwell 用湿氮处理除去硅中的硼 H.C.Theuerer 硅的浮带提純 E.Buehler 改进了的切克劳斯基拉品炉 K.H.J.C.Marshall,R.Wickham利用梯耳-利特耳(Teal-Little)方法生长大直径硅和晶体 W.R.Runyan无位錯单品硅的生长 W.C.Dash籽晶的旋轉对硅品体的影响-A.J.Goss,R.E.Adlington 硅中杂质的蒸发

者前言在这本辉丛中,我們收集了一些有关半导体材料硅的制备、提純、参量测量、杂行为以及一般物理性的文章,我們的目的是:通过这本书向者介绍一些有关硅材料制备的知識和国外在这方面的某些进展.所收入的29篇文章大体可分为粽述、区域提純、单晶制备及其性能的控制、杂的分析和单晶体的性能测試、杂质的作用及热处理等六个部分,第一篇为粽述性文章,选用Hannay的“硅的最新进展”一文.此文内容虽比较旧,其中的个别观点与新近的研究結果有些出入,但它对硅的制备工艺、杂质作用、物理性以至器件等有关方面的早期工作作了比较全面的介绍,因此还是很有价值的,为了弥补 Hannay文章的不足,选了第二篇C