[半导体材料硅]·科学社版

【半导体材料硅】科学.pdf物理丛 半导体材料硅 清华大学无电电子学系半导体教研租选器 必 社目录者前言 硅的最新进展 N.B.Hannay 硅和的性质(II)E.M.Conwell 用湿氮处理除去硅中的硼 H.C.Theuerer 硅的浮带提純 E.Buehler 改进了的切克劳斯基拉品炉 K.H.J.C.Marshall,R.Wickham利用梯耳-利特耳(Teal-Little)方法生长大直径硅和晶体 W.R.Runyan无位錯单品硅的生长 W.C.Dash籽晶的旋轉对硅品体的影响-A.J.Goss,R.E.Adlington 硅中杂质的蒸发者前言 在这本辉丛中,我們收集了一些有关半导体材料硅的制备、提 純、参量测量、杂行为以及一般物理性的文章,我們的目的 是:通过这本书向者介绍一些有关硅材料制备的知識和国外在 这方面的某些进展.所收入的29篇文章大体可分为粽述、区域提純、单晶制备及 其性能的控制、杂的分析和单晶体的性能测試、杂质的作用及热 处理等六个部分,第一篇为粽述性文章,选用Hannay的“硅的最新进展”一文.此文内容虽比较旧,其中的个别观点与新近的研究結果有些出入,但它对硅的制备工艺、杂质作用、物理性以至器件等有关方面的 早期工作作了比较全面的介绍,因此还是很有价值的,为了弥补 Hannay文章的不足,选了第二篇C
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