【砷化镓半导体材料】上海科学技术.pdf
砷化家牛导体材料(文集)金冶编
前言 自从1952年关于JII-V族化合物的制备及其重要半导体性 质首次报导以来,引起了各国有关学者的广泛注意.据不完全統 計,到目前为止仅仅公开发表的文报告就在1500以上,其中 砷化(GaAs)材料,由于它具有比硅更大的禁带宽度(1电子 伏)和比更高的电子迁移率(11000厘米/伏秒),因而砷化 作为半导体器件材料,无在高温性能或高频行为两方面都有可 能更胜于硅和,不仅如此,更由于砷化的某些特性,它在高电 压操作以及抗幅射能力等方面也是非常突出的,后者同砷化嫁相 对大的原子量以及短的裁流子寿命有关.
是上逃有关光学、电学性质研究方面共15篇文的一个小結.再次,第45.51篇则专門逃高阻或半緣砷化(≥10欧厘 米)晶体的制备、电学、光学性质以及产生高阻的原因分析,包括某 些作者在緣体研究方面常用的光电子分析方法在内,载流子寿命及其复合过程也是半导体材料的一个重要参量,但由于砷化综材料的寿命极其短促(10-～10-秒或以下),故在 测試方法上比校困难,在这里共选了有关寿命测試方法及复合 性质方面的研究报告5篇(第52.56篇),包括两复合辐射在内. 