【砷化镓半导体材料】上海科学技术.pdf

砷化家牛导体材料(文集)金冶

前言自从1952年关于III-V族化合物的制备及其重要牛导体性质首次报导以来,引起了各国有关学者的广泛注意.据不完全計,到目前为止仅仅公开发表的文报告就在1500以上,其中砷化(GaAs)材料,由于它具有比硅更大的禁带寬度(1电子伏)和比鳍更高的电子迁移率(～11000厘米2/伏秒),因而砷化嫁作为半导体器件材料,无输在高温性能或高频行为两方面都有可能更胜于硅和.不仅如此,更由于砷化的某些特性,它在高电压操作以及抗幅射能力等方面也是非常突出的,后者同砷化相对大的原子量以及短的载流子寿命有关.

篇则着重砷化的能带結构和电子輸运,其中第43篇也可以是上逃有关光学、电学性质研究方面共15文的一个小結.再次,第45.51则专門逃高阻或半靶緣砷化(≥10欧厘米)晶体的制备、电学、光学性质以及产生高阻的原因分析,包括某些作者在緣体研究方面常用的光电子分析方法在内,载流子寿命及其复合过程也是牛导体材料的一个重要参量,但由于砷化材料的寿命极其短促(10-～10-秒或以下),故在测試方法上比较困难,在这里共选了有关寿命测试方法及复合性质方面的研究报告5篇(第52～56篇),包括两复合幅射在内.