【功能材料】赵光明功能材料编辑部重庆.pdf
目 次 G功能材毒 综 述 GaN薄膜的研究进展 马洪磊,杨莺歌,刘晓梅,等(双月刊) 纳米多层膜的界面微结构与超硬度 徐益,钟富平,黄楠 第35卷第5期(总第206期)研究与开发 低密度磁性粉末的制备 凌国平,张 超,岳远见2004年10月20日 轴向取向FesGai合金中原子间作用与磁致伸缩的关系 中文核心期刊 韩志勇,张茂才,高学绪,等中国学位与研究生教育重要期刊 磁场凝固法制备过共品MnBi/Bi磁性功能复合材料 王晖,任忠鸣,李伟轩,等中国科技论文统计源期刊 锰锌铁氧体非线性磁性能的研究 赵宏杰,周
劲能材 料 2004年第5期卷 Ga)、(CH)Ga(TMGa)和(CH)Ga.氮源是NH气体。究,如生长温度,缓冲层厚度热处理等.M(OCVD的生长速率适中,可以比较精确地控制膜厚,特别适合 Tanakai2等人用超薄AIN缓冲层改善了外延层的结构质 于LEDs和LDs的大规模生产。M(ICVD技术是目前使用最量和表面形貌,得到从未报道过的最低位错密度的GaN层,并 多、材料和器件质量最高的生长方法。Vispute等人提出用高 认为AIN缓冲层的结构完整性和表面粗糙度是影响GaN层位 挥发性和非自燃性的(N)Ga[(CH)Nme]做M(CVD工艺 错密度的主要因素。
材 料 2004年第5期卷(TEM)表征。并用粗糙度定量描述。Miskys2等人先用 213,27.HVPE方法制备了GaN缓冲层,然后再用MOCVD法生长的 [12] Sugianto.Sani R A.Arin P,et al.[J].J Cryst Growth, 2000.GaN的粗糙度达到0nm(rms)。结晶度和结构通常用X 221;311.射线衍射(XRD)、TEM和高分辨率电子显微镜(HREM)来表 [13] Vispute R D, Talyansky V.Trajanovic Z, et al.[J]. 
