[功能材料]杜平功能材料编辑部重庆-V4

【功能材料】杜平功能材料编辑部重庆.pdf1993年6月 田一光庞文琴 泽 肖鸣山*韩力群陈晨 江键夏钟福*章文贡 王永生能光楠徐叙溶.张正义 肖耀福 宁陈国平 森李荣志朱鹤孙 郑士杰周福洪*林兰英.徐蓓娜(双月刊)李永祥吴冲若刘.许勤论彭定坤陈兆甲张裕恒 张小平俞振中周捷邢思皓蔡季华美 汪联辉 王学军 刘民治 梁基本范提文邓航军.功能材料>1993,24 氧化物型TiO2123,2号。所用的沸石多为具有 低SiO2/A1O、孔径较大的A19,261、x1,26.281、Y9,18,20,,26,也有中孔的丝光沸石121.3制备方法 一般用离子交换法先将阳离子组分引进 沸石笼内,然后通过气固相反应或液固相反 应引入阴离子组分,使阴阳离子右沸石笼或 孔道中生成所需化合物。引入阳离子时主要 为水溶液交换反应,也可用熔盐交换法。半 导体化合物的生成反应主要是水合阳离子与 HS或HSe或PH反应,也有借助于还原反 最常用的方法是离子交换,尤其对制备 II-IV族化合物较为方便。例如用CdCl配制 成含Cd2+离子0.mh 0 0 0 2功能材料>1993,24 半径,m。和m分别代表半导体块体中电子 和空穴的有效质量。公式适用于预测体 相带隙较大的半导体微晶的带隙,公式 较适合于窄带隙物质如PbS等半导体微粒.半导体微晶尺寸越小其禁带宽度越大,吸收 光谱的边带位置越向短波方向移动,即发生 表1封装在沸石A中的半导体微晶与其块体 材料的带隙及其有关常数 Table 1Bandgaps of Semiconductor Mi- crocrystallites Encapsulated in Zeolite A and Bu
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