【若干齐聚苯撑乙烯体系的合成电子结构与发光性能的研究】孙景志.pdf

分类号:063 密级:内部若干齐聚苯撑乙烯体系的合成电子结构与发光性能的研究 Studies on Synthesis,Electronic Structure and Luminescent Properties of Several Oligo(PhenyleneVinylene) Systems 孙景志导师:沈家院士专业:高分子化学与物理论文答辩日期/929、.学位授予日期_/999.

提要本论文从结构决定性能的基本原则出发,把影响其轭体系发光性能的结构因素归结为具轭单元的芳构化能(E)、取代基效应(E)、共轭长度(E)、链扭曲程度(E)、分子间相互作用(E-)几方面,用分子设计方法,设计月合成了若1齐聚不撑乙烯体系,就这些体系的电了结构、聚集态结构和发光性能进行了研究:在.聚不撑乙烯分子的两端引入推电子取代基时,随者取代基推电了能力的增强,HOMO与LUMO之间的差值即能隙(Eg)减小,在光谱学上衣现为紫外-可见光谱的吸收边和吸收峰红移,光致发光谱的峰位红移。取代基对Eg的影响可以用哈密特方程定量关联。出于N.

目录目帐第一章文献综述 1引- 1齐聚米撑乙烯的合成 -2 1Wittig路线 1Heck路线 1以齐聚苯撑乙烯为模型的理论研究 1研究齐聚不撑乙烯和聚苯撑乙烯的光谱性质 1研究掺杂齐聚米撑乙烯和聚苯撑乙烯体系的极化子状念 -14 1研究激发态的瞬态光谱- 1研究齐聚苯撑乙烯的双光子吸收现象 1齐聚苯撑乙烯在发光器件上的应用 1本论文的总体构想 -31 参考文献- -32 第二章对位带不同推电子取代基的二聚苯撑乙烯的合成,电子结构与发光性能 2对位带不同推电子取代基的聚苯撑乙烯的合成- 2.