【量子半导体结构中的电子-声子相互作用和电子有效质量失配】郑以松.pdf

分类号0471 密级:公开学号:95030元吉林大学博士论文量子半导体结构中的电子一声子相互作用和电子有效质量失配郑以松指导教师苏文辉教授吕天全副教授专业名称凝聚态物理论文答辩日期授予学位日期 1998.

吉林大学博士论文目录第一章绪论.第一节量子半导体结构概述第二节量子半导体结构的制备技术简介第三节量子半导体结构中的物理和应用第四节量子半导体结构中的电子一声子相互作用参考文献.第二章单量子阱中的极化子问题.第一节极化子第二节单量子阱中电子-光学波声子体系的哈密顿量第三节单量子阱结构中的LLP方法.第四节数值结果和讨论.参考文献.第三章异质结中的电子间有效相互作用第一节电子间有效相互作用的理论推导第二节数值结果.参考文献.

1998年吉林大学博士论文第一章绪论第一节量子半导体结构概述半个世纪以来半导体的研究在当代物理学和高技术的发展中一直占有重要的地位,这是因为半导体不仅具有极其丰富的物理内涵,而且具有巨大的应用价值。目前正在广泛应用的晶体管、集成电路都是半导体电子元件。pn结是绝大多数半导体电子元件的核心,它是在一块半导体单晶中用掺杂的办法做成两个导电类型不同的部分、其最显著的特性是具有单向导电性。一般的Pn结的两边是用同一种材料做成的,所以称之为“同质结”。如果把不同的两种半导体材料做成一块单晶,就称之为“异质结”(Heterostructure)。