【大功率远结激光器的研制及其可靠性研究】刘雨微.pdf

分类号TN365 单位代码密级内部研究生学号 9605003 硕士学位论文:大功率远结激光器的研制及其可靠性研究刘雨微导师:石家纬教授专业:微电子学与固体电子学吉林大学一九九九年六月

提要本论文从解决大功率AlGaAs体系的退化和失效入手,通过改善激光器的结构,提出了一种新结构的量子阱激光器一远结(RJH) 结构的量子阱激光器。这种结构的激光器,p-n结与有源区分开,我们利用在器件工作过程中,高场区有吸收缺陷的作用,使缺陷从有源区移出。所以就有希望通过结构的改善,来改变其退化机制,提高AlGaAs/GaAs大功率激光器的寿命。RJH激光器的特点是:在工作初期,随着时间的加长,阙值降低,效率变大,输出功率增加,但是导通电压比一般DH激光器高。

第一章出言善,提供的慢速率、精控外延层层厚和组分的手段,可生长出原子层厚度(约50～500A)外延层,由这些超薄外延层交送成的超晶格、量子阱材料的能带结构与体材料器件完全不同。最明显的不同点是量子阱(QW)内出现的二维电子气和载流子的阶梯状的态密度分布。各个重要领域所用的半导体激光器,无论是动态单频、窄线宽、可调谐激光器、可见光激光器,还是大功率激光器或列阵器件的进一步研究和片发都将离不升超晶格量子结构材料的发展和完善。可以肯定,超晶格量子结构材料必将是二十一世纪光电子器件和技术发展的重要基础.S1.