【几种异质结构的分子束外延生长及特性研究】陈益栋.pdf

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几种异质结构的分子束外延生长 及特性研究 作 者:陈益栋 专 业:半导体材料 指导教师王贤仁教授 及其职称:陆卫研究员(上海技术物理研究所)吉林大学电子工程系 一九九九年六月目 前 言 Iv 第一章:GaAs、AlGaAs材料生长工艺及实验仪器 引言 第一节:实验系统简介 .1生长系统.S1原位实时监测系统(RHEED)S1高速CCD图像采集系统 1原位光调制反射光谱(PR)测试系统 第二节:GaAs、AIGaAs 材料生长工艺 .2衬底的选择与处理.S2GaAs、AIGaAsMBE外延生长 本章小结 参考文献 第二章:GaAs、AIGaAsMBE外延生长动力学研究 引言.第一节:GaAs衬底表面再构的研究 .1实验 .1实验结果和结果讨论前 言 异质结材料(如半导体超晶格和量子阱材料等)的出现可以说 是近儿十年来半导体物理学及材料科学中的一个重大突破。这 种由人工合成的新结构显示了天然晶体中所不存在的许多新现 象,从而赋予半导体物理基础研究以新的生机。另外,超晶格、量子阱等异质结构材料诞生以后不久,便显示出它在技术上的 重要性,用它制造的-些微电子器件和光电子器件具有用常规 材料所做的器件所不具备的优异性能,并且正以全新的概念改 变着电子器件的设计思想,使半导体器件的设计和制造由原先 性的裁剪”等新的范畴。制备异质结材料就象实验室中的建筑 学,即以原子为最小砖块的微观尺度上的建筑学。