[大失配InGaAsP应变多量子阱激光器的研究]刘国利

【大失配InGaAsP应变多量子阱激光器的研究】刘国利.pdf大失配InGaAsP应变多量子阱 激光器的研究(Studies on large misfitInGaAsP strain Multi-Quantum-Well LDs) 刘国利 指导教师:刘式墉 教授 杨树人 教授 王圩 研究员,院士 专业:半导体物理与半导体器件物理 一九九八年六月吉林大学硕士学位论文 目 第一章前言 1 InGaAsP长波长半导体激光器 应变在量子阱结构激光器中的应用 1 长波长量子阱激光器的温度特性 1 MOVPE技术 1 本论文的主要工作 第二章应变对材料能带及增益的影响 2应变对能带的影响.应变张量.应变对带边位置的影响 3.应变对能带形状的影响.4.临界厚度.2 应变对材料光学增益(opticalgain)的影响1.近似的费米分布函数2.洛仑兹展宽效应3.最大光学增益和掺杂对增益谱的影响4.应变对光学增益的影响.吉林大学硕士学位论文 第一章 绪论 S1InGaAsP长波长半导体激光器 七十年代,Be11实验室首次研制成功双异质结(DH)激光器i2,这种结构使 得光场和载流子同时得到良好的限制,从而实现了室温连续工作。以此为标志,半导体激光器的发展进入了一个新的时代。进入八十年代,随着以分子束外延(MBE)和金属有机化合物气相外延(MOVPE或MOCVD)34等技术为代表的半 导体超薄层生长工艺的进步,量子阱和超晶格结构得到广泛的研究和应用。
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