【半导体量子线中电子—声学波声子散射率的理论研究】於学萍.pdf

吉林大学硕士研究生论文分类号:密级:公开吉林大学硕士学位论文半导体量子线中电子-声学波声子散射率的理论研究于学萍指导教师苏文辉教授专业名称凝聚态物理论文答辩日期授予学位日期答辩委员会主席论文评阅人吉林大学研究生院一九九八年六月

吉林大学硕士研究生论文提要本文研究的方向是半导体量子线中的电子-声学波声子散射率问题.本文首先考虑了电子有效质量失配的问题。在此基础上,解薛定谔方程求出电子的波函数。通过引人电子一声子相互作用的形变势,导出电子-声学波声子相互作用的哈密顿。进而利用Fermi Gold Rule计算出电子一声学波声子散射率。本文所采用的是由分子束外延和光刻技术制作的GaAs/AlGaAs半导体量子线.从结果中发现,考虑了电子有效质量失配对散射率数值的影响很大。是影响散射率变化的一个重要因素。

吉林大学硕士研究生论文如由晶格匹配很好的A,B两种物质交替生长形成ABA异质结结构,而B层控制在纳米量级,在运用光刻技术可以形成如下所示的结构.A/B A(图1) 上图中平行于纸面的面为半导体量子线的横截面。4、B分别为构成量子线的两种不同的半导体物质.本文所研究的量子线就是以上所示的结构 s1半导体量子线的物理性质半导体量子结构有许多重要的物理性质,这些物理性质决定了半导体量子结构具有很多不同于三维体材料独特的性质。因而在理论研究中的探讨比较深人。如电子、激子的散射,隧穿以及能量等方面的研究。本文只对与本论文工作有关的半导体量子线物理性质做具体论述.1.