[半导体量子线中电子—声学波声子散射率的理论研究]于学萍

【半导体量子线中电子—声学波声子散射率的理论研究】於学萍.pdf吉林大学硕士研究生论文 分类号:密级:公开 吉林大学硕士学位论文 半导体量子线中电子-声学波声子 散射率的理论研究 于学萍 指导教师 苏文辉教授 专业名称 凝聚态物理 论文答辩日期 授予学位日期 答辩委员会主席 论文评阅人 吉林大学研究生院 一九九八年六月吉林大学硕士研究生论文 提要 本文研究的方向是半导体量子线中的电子-声学 波声子散射率问题.本文首先考虑了电子有效质量失配的问题。在此基 础上,解薛定谔方程求出电子的波函数。通过引人电子一 声子相互作用的形变势,导出电子-声学波声子相互作用的哈密顿。进而利用Fermi Gold Rule计算出电子一声学 波声子散射率。本文所采用的是由分子束外延和光刻技 术制作的GaAs/AlGaAs半导体量子线.从结果中发现,考虑了电子有效质量失配对散射率 数值的影响很大。是影响散射率变化的一个重要因素。吉林大学硕士研究生论文 如由晶格匹配很好的A,B两种物质交替生长形成ABA异质 结结构,而B层控制在纳米量级,在运用光刻技术可以形成 如下所示的结构.A/B A(图1) 上图中平行于纸面的面为半导体量子线的横截面。4、B分 别为构成量子线的两种不同的半导体物质.本文所研究的量子线就是以上所示的结构 s1半导体量子线的物理性质 半导体量子结构有许多重要的物理性质,这些物理性质决定 了半导体量子结构具有很多不同于三维体材料独特的性质。因 而在理论研究中的探讨比较深人。如电子、激子的散射,隧穿以 及能量等方面的研究。本文只对与本论文工作有关的半导体量 子线物理性质做具体论述.1.
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