【热壁外延制作PBTESI异质结】陈海勇.pdf

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热壁外延制作PbTe/Si异质结 陈海勇 指导教师:于三 教授 高春晓 教授S2使用组合条件在Si衬底上生长PbTe 82范得瓦尔斯外延.2结果讨论.第三章n-PbTe/p-Si异质结 S3n-PbTe/p-Si异质结红外探测器的优势 83n-PbTe膜表面电阻的测量.3n-PbTe/p-Si异质结的I.V测量.3光伏效应 致 谢.中文摘要。。。吉林大学硕士学位论文 绪论 IV-VI族窄带半导体是重要的红外材料,用它们制作的红外 探测器具有以下优点:1.可覆盖中远红外波段.2.探测器噪声低、量子效率高,灵敏度等于或高于碲镉汞探测器:3.这种材料易制 备,稳定性好.器件的成品率高,列阵各元的性能一致。IV一VI 族窄带半导体也是制作中远红外激光器的最可用材料,掺入稀土元素(如Eu)或碱土元素(如Sr)的IV-VI族窄带半导体可制 成性能优良的激光器。这种激光器将具有可调谐、工作温度接近 或达到室温、阀值电流小、输出功率达到10mW、谱线极窄等优点.可用于高分辨分子光谱、大气污染监测及军工等方面[1]。