【高温高压条件下金刚石单晶生长界面的研究】孔卫青.pdf
高温高压条件下金刚石单晶 生长界面的研究 作者 孔卫青 导师 郝兆印 教授 邹广田 教授 专业 凝聚态物理 吉林大学超硬材料国家重点实验室 一九九七年五月长春
提 要 本论文讨论了高温高压条件下金刚石单晶生长的界面现象,并 得出如下初步结论:在高温高压有催化剂参与下的金刚石单晶生长是双界面生长,在两个主界面Di-M及M-Gr之外,还存在着过渡层或称亚界面。高温 将C原子的电子构形从sp态改变成sp态,从而以C原的金刚石结 构长到金刚石表面,金刚石晶格结构的形成是在金刚石表面层完成 的。
击一猝灭法。该金刚石粉末中有若干与普通立方型混在一起的六方 金刚石。这一方法是把含有结晶石墨小包裹体的金属块冲击压缩至 百万巴级的压力,金属基体由于比石墨包裹体难于压缩,当冲击波 通过时,没有象碳包裹体那样热起来,因此造成了石墨裹体的猝灭.此猝灭作用使在压缩和加热过程中所形成的任何金刚石都保存下来.1963年之前,通用电气实验室研究小组在13GPa以上的压力下,利用瞬间加热单晶石墨的方法,制得若干六方金刚石。这些结果证 明了,某些铁镍陨石中的金刚石包裹体是六方金刚石,而且很可能 是由于碰撞的剧烈冲击压力而由结晶石墨包裹体生成的 1970年,通用电气公司的Wentorf和Storng,描述