[金刚石膜场至电子发射性的研究]王玉光

【金刚石膜场至电子发射性的研究】王玉光.pdf金刚石膜场致电子发射特性的研究 王玉光 专业:凝聚态物理 导师:金曾孙教授 顾长志副教授 一九九七年六月吉林大学硕士学位论文 目 提要 第一章绪论 第一节金刚石膜的合成及电学性质．:第二节金刚石膜场致电子发射研究的发展与应用．第三节论文的选题与研究内容．:第四节实验设备简介．:第二章金刚石膜的场致电子发射机理．第一节场致电子发射的原理.第二节金刚石的负电子亲和势．:第三节金刚石膜的场致电子发射机理.第三章非掺杂金刚石膜的场致电子发射特性 第一节不同甲烷浓度合成的金刚石膜 的场致电子发射特性．．:第二节 古不同厚度的金刚石膜的场致电子发射特性．:．22 第三节表面形貌对场致电子发射特性的影响．．吉林大学硕士学位论文 第一章 绪 论 81金刚石膜的合成及电学性质 金刚石具有许多优异的性能,如高的硬度、高光透过率以及 高的热导率等。金刚石作为一种宽禁带半导体材料拥有许多优异 的电学性能,表1给出金刚石与其它半导体材料的性能比较.表1金刚石的半导体性质 性质 Si GaAs Dimond 1 1 5 禁带宽度(ev)介电常数5 热导率wm.K)1 0 电子迁移率(m2W.s 空穴迁移率(m2N.s 击穿电压6m)3X10 4×10 3X10 由上表可见,金刚石禁带宽度为5.
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