[硅掺杂对CBN单晶某些电学性质的影响]王明光

【硅掺杂对CBN单晶某些电学性质的影响】王明光.pdf硅掺杂对CBN单晶某些电学性质的影门 王明光 专业:凝聚态物理 导师:张铁臣副教授 邹广田教授 一九九六年六月提 要 本文旨在研究Si掺杂后对立方氮化硼(CBN)单晶体某 些电学性质的影响,其方法如下:一,利用六角氮化硼(hBN)为原料,以本室自制的M1-B-N三元化合物(M1为碱 金属或碱土金属)为触媒,控制在高温高压下的生长条件,合成出纯度较高的(电阻>108Ω)片状立方氨化硼单晶,以 该单晶为基片通过高温真空无限源扩散掺杂硅。二,利用 在上述合成原料中加入硅通过高温高压合成方法获得掺硅 的立方氨化硼单晶体.通过对上述两种方法获得的合硅立方氮化硼晶体的生 长特性、含硅量、某些电学特性的观察与测量,分析了硅 与立方氮化硼单晶生长、某些电学性质的关系。吉林大学硕士毕业论文 下,在2000K时直接转化压力为115x10°KPa。在高温区以 立方氮化硼为主,在低温区可形成氮化硼的另一种致密相 一纤锌矿型氮化硼(WBN)。1972年[4],Devries和 Fleischek研究了Li-BN体系的相平衡问题。上述研究奠 定了氮化硼相图的基础.八十年代立方氮化硼的合成有了迅猛的发展。各种各 样的合成方法、多样性触媒不断涌现。立方氮化硼作为加 工钢、铁、钴、镍及其合金的工业材料已被广泛应用。在 这一时期,对立方氮化硼的合成方法、触媒生长机制做了 更加深入的研究,并用晶种温度梯度法生长出粒径达3mm 的大颖粒立方氮化硼单晶。
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