【外电光检测系统设计及实验研究】秦莉.pdf

外电光检测系统设计及实验研究秦莉导师:贾刚副教授专业:半导体物理与半导体器件物理一九九六年六月十日

古桃大学硕士论文目录第一章前言第二章电光取样原理 2线性电光调制原理2取样原理2外电光取样的原理及目前发展状况第三章外电光检测系统设计53非共轴式光路系统.3共轴式光路系统第四章外电光检测的实验研究S4非共轴式电光法研究 S4共轴式电光法研究第五章讨论.S5两种检测法比较S5探头结构对比 .5GaAs晶体尺寸(宽度)厚度对实验结果的影响S5平衡检测法对灵敏度的影响 S5GaAs晶体与集成电路之间的距离对测量的影响 85.

吉林大学硕士论文器件本身就是取样晶体,可进行直接取样。外电光取样是指利用取样晶体来取出被测器件的电信号,取样晶体与被测器件互相独立。在实际应用中大量的集成电路主要是硅集成电路,由于硅不是电光晶体,不能采用以往的内电光取样方法,而是采用外电光取样方法。它主要是通过一个电光晶体作探头,利用它的线性电光效应,与被测硅集成电路的边缘电场耦合,集成电路上外加电压与电场有比例关系,这样电光晶体能感应集成电路电场的变化,这样就取出了电信号,完成了取样的要求,外电光取样系统也是由完整的光路组成,具有与内电光取样相同的优点,并且比内电光取样具有更为广泛的应用价值。