【异质硅衬底上金刚石薄膜生长机理的理论研究】戴振文.pdf
密级:内部 学号:940403 异质硅衬底上 金刚石薄膜生长机理的理论研究 戴振文 指导教师:潘守甫学术职称:教授单位名称:吉林大学 V 沈玲 王治文 一九九七年五月 专业名称:原子与分子物理 论文答辨日期:一九九七年六月十三日 授予学位日期:一九九七年八月十九日 答辩委员会主席:范 论文评阅人:分类号:0643.
提要 本文首次在异质衬底金刚石薄膜生长机理的理论研究中 提出引入晶格应变微扰修正的物理思想,并首次在分子轨道 理论中建立了晶格应变微扰修正的理论处理方法,针对半经 验分子轨道计算程序包MOPAC3编制了晶格应变微扰修 正的计算程序STRAIN+SPHF。运用引I入晶格应变微扰修正 的AM1半经验分子轨道方法,首次详细计算了在硅和 衬底表面上气相氢原子和甲基提取表面吸附H原子的 反应过程.首次详细计算了S1和表面上甲基和乙 快的吸附过程及生长金刚石薄膜的吸附反应过程.
80应变微扰Hamilton矩阵元的计算方法 硅衬底表面的原子团簇模型 Si衬底表面的原子团簇模型 Si衬底表面的原子团簇模型 Si衬底表面的原子团簇模型 硅衬底表面上金刚石薄膜的生长机理 Si衬底表面吸附氢原子的提取过程 气相H原子提取表面吸附H原子过程 CH,提取表面吸附H原子过程 Si衬底表面上CH的吸附过程 一个CH在表面自由基位置上