【增益开关脉冲激光器的研究】申智渊.pdf

半导体器件物理申智渊导师:衣茂斌教授专业:半导体物理与增益开关脉冲激光器的研究

6吉林大学硕上学位论文录目第二章增益开关光脉冲过程的理论分析第三章选择性质子轰击的掩埋新月型激光器 3质子轰击对InP材料的影响.选择性质子击的掩埋新月型激光器选择性质子轰击的埋新月型激光器的制作选择性质子轰击的掩埋新月型激光器第四章增益开关光脉冲的产生及测量 4二次谐波法测量光脉冲脉宽的技术 S4微波大信号调制产生光脉冲的实验结果 52.速率方程.S2.近似理论分析的设计思想的直流特性第一章引言.3 3 3.

吉环大学顿士字位论文寿命,三是增加输出光功率密度。光子寿命,=[V(a+LLnR-)]。增加α,可降低光子寿命,但同时也增加了國值电流及损耗。减少R也可减少光子寿命,但减少R的同时也减小光腔内的光功率密度,增加國值,那么减少激光器的腔长成为降低光子寿命的主要方法了。E11i0t等人采用增加注人电流的方法,获得了12ps的光脉冲[6。Aspin等人采用缩短腔长的方法,得到了15ps的光脉冲[7]。量子阱激光器的增益系数比一般双异质结激光器大,这一点在理论 3 和实验上[9 都获得了证实。