[增益开关脉冲激光器的研究]申智渊

【增益开关脉冲激光器的研究】申智渊.pdf半导体器件物理 申智渊 导师:衣茂斌教授 专业:半导体物理与 增益开关脉冲激光器的研究6吉林大学硕上学位论文 录目 第二章增益开关光脉冲过程的理论分析 第三章选择性质子轰击的掩埋新月型激光器 3质子轰击对InP材料的影响.选择性质子击的掩埋新月型激光器 选择性质子轰击的埋新月型激光器 的制作 选择性质子轰击的掩埋新月型激光器 第四章增益开关光脉冲的产生及测量 4二次谐波法测量光脉冲脉宽的技术 S4微波大信号调制产生光脉冲的实验结果 52.速率方程.S2.近似理论分析 的设计思想 的直流特性 第一章引言.3 3 3.吉环大学顿士字位论文 寿命,三是增加输出光功率密度。光子寿命,=[V(a+LLnR-)]。增加α,可降低光子寿命,但同时也增加 了國值电流及损耗。减少R也可减少光子寿命,但减少R的同时 也减小光腔内的光功率密度,增加國值,那么减少激光器的腔长 成为降低光子寿命的主要方法了。E11i0t等人采用增加注人电 流的方法,获得了12ps的光脉冲[6。Aspin等人采用缩短腔 长的方法,得到了15ps的光脉冲[7]。量子阱激光器的增益系 数比一般双异质结激光器大,这一点在理论 3 和实验上[9 都 获得了证实。
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