【高速电光采样装置的构造及测试研究】孙建国.pdf
高速电光采样装置的构造及测试研究 孙建国 指导教师:衣茂斌教授 专业:半导体物理与器件
JilinUniversity 目 第一章引言 第二章电光采样原理.S2采样原理.S2线性电光调制.S2电光采样,第三章电光采样测试装置的构造,S3微波探针的设计制作.S3电光采样装置主体的设计电光采样装置的构造及性能指标 第四章电光采样装置的测试应用及研究,S4对GaAs高速集成电路的测量应用.S4电光检测中信号幅度定标的研究S4系统改进的设想及尝试 第五章结论 致谢.参考文献.
JilinUniversity 信号,此方法具有高的时间分辨率,但其实施需要真空环境、技术复杂.开关产生电脉冲作为电子采样门,但此技术受到光电导开关与 被测系统的连接方式的限制,尤其不适用于IC的内部特性检 测.2pS,但此技术实施需要低温环境,而且也不能检测IC内部特 性.1982年,在美国Rochester大学做研究工作的 该测试系统以非中心对称晶体内的Pocke1s效应(线性电光效 应)为基础,利用超短光脉冲作为取样门,将晶体内电场变化 转变为光强的变化,与前述的几种测试方法相比,电光采样通 过光与被测电场之间的耦合作用进行测试,不需要从被测的器 件或电路中“抽取”电荷,因此对被