【准分子激光诱导AL2O3薄膜的低温数字化生长及其特性研究】马力.pdf

吉林大学硕士论文目录提要第一章:前言 1A120薄膜的特点 1A120薄膜的制备方法 A 81A120s薄膜的应用 1本论文的主要五作及意义第二章:准分子激光诱导A120薄膜兰长原理 13 2衬底表面的吸附和解吸过程多2物理吸附和化学吸附的相互关系2吸附的数学模型 16 2TMA与H202的蒸汽吸附过程 2表面化学反应第三章:准分子激光诱导A120薄膜低温数宁化生长的实验系统及实验过程 23 83准分子激光诱导三长A120a的实验系统.23 3.

吉林大学硕士论文提要原子层外延(ALE)是八十年代发展起来的一种新兴的微细加互技术,准分子激光的引入使得原子层兰长得以实现。这种技术可以制备出高质量的超薄层材料,对高速集成电路、微波和毫米波器件、量子阱以及光电子集成电路的发展有着极其重要的意义。近年来,隧着抗辐射技术、多层膜技术和半导体一绝缘体超晶格技术的飞速发展,制备高质量的绝缘膜显得尤为迫切.利用ALE先进的生长系统,我们通过周期性脉冲通源方式进行了绝缘介质薄膜—A120。的兰长研究,研究结果表明,A120。的兰长是低温数字化的。

吉林大学硕士论文膜顾受人们重视,被认为是一种比较理想的钝化膜。它具有以下几个优点:[1][2] 密度大,对钠离子的阻挡能力强。钠离子很难穿过500 A以上的A1a0膜,比Si02高两个数量级,可做Si02的保护膜.抗辐射能力比SiO2和SiaN都要高。其原因可能与 A120g的特殊缺陷结构有关.介电常数约为Si0的两倍.淀积温度比SiN低,可在550C以下的温度采用多种方式形成,因此可以在铝互连线上淀积(SiaN淀积必须在900℃ 以上)。