[钨丝掩膜质子轰击GaAlAsGaAs垂直腔面发射激光器的研究]刘颖

【钨丝掩膜质子轰击GaAlAsGaAs垂直腔面发射激光器的研究】刘颖.pdf分类号:0471 密级:内部 钨丝掩膜质子轰击GaAlAs/GaAs 垂直腔面发射激光器的研究 作 者:刘颖 指导教师:高鼎三院士 杜国同教授 专业名称:半导体物理与半导体器件物理 论文答辩时间:一九九六年九月 授予学位时间:答辩委员会主席:论文评阅人:一九九六年九月吉林大学博士学位论文-目录目录 第一章:引言面发射半导体激光器的结构及特点 1-1水平腔面发射半导体激光器-2弯曲腔面发射半导体激光器-3垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)-4三种面发射半导体激光器的比较.,S1垂直腔面发射激光器的发展状况及研究方向-1垂直腔面发射激光器的发展状况-2垂直腔面发射激光器的研究方向及应用前景.S1GaAs材料系垂直腔面发射激光器的结构及制作.S1垂直腔面发射激光器研制的关键问题-1在垂直腔面发射激光器的设计和外延生长方面.吉林大学博士学位论文-目录 6-2准连续的器件制作及结果6-3室温连续器件的制作及特性分析.参考文献致谢 论文期间主要成果.
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