[应变量子阱及其应用研究]刘宝林

【应变量子阱及其应用研究】刘宝林.pdf吉林大学博士学位论文 应变量子阱及其应用研究 刘宝林应变量子阱及其应用研究 平面双轴应变改变了半导体材料的对称性,使重、轻空穴能带分裂,改 善了半导体光电器件的性能。基于这特点,我们首先在理论1分析了不 同应变对InGaAs/InP量子阱激光器性能的影响。其次利用LP-MOCVD研究了 InGaAs(P)材料生长及组控制、量了阱和应变量了阱结构生长并研究了其 光电性能。最后研制出应变InGaAs/InP量了阱激光器和InP作盖层的匹配 针对日前国际上研究应变对材料和器件性能影响的1作主要集中在 缩应变情况,本文首次在理论1考虑了不同波欠下偏振对增益矩阵元的影 响,并对InGaAs/InP体系计算了相同阱宽下(40),人小都为1 的伸84应变量子阱及其应用研究 目录 第二章InP及其系列化合物的性质和MOCVD技术 2InP及其系列化合物的基本性质 MOCVD用源的性质与选择 应变InGaAs/InGaAsP/InP量LD的理论 Ⅲ-V族化合物能带的KP理论 应变对能带的改变的理论 KP法计算量了阱能带的基本方法 应变下InGaAs/InGaAsP/InP量了阱的能带结构 应变量了阱中增益的计算 MOCVD生长InP/InP、InGaAs/In
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