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半导体激光电光采样仪的研制曹杰指导教师:衣茂斌教授贾刚副教授专业:半导体物理与器件一九九三年六月

吉林大学硕士学位论文目录提要-一.引言-二.电光采样仪的工作原理 2时序变换取样原理 2电光取样原理-三.电光采样仪的组成部分-26 3半导体激光超短光脉冲源-27 3电光采样门-30 3微波信号伺服及监测系统-31 3扫描延迟系统-32 3红外测量定位监测系统-34 3电光采样信号处理系统-34 四.半导体激光电光采样仪的主要性能指标-36 4半导体激光电光采样仪的用途-98-4半导体激光电光采样仪空间分辨率-38 五.模拟高速GaAs集成电路(CPW)的测量-46 5.

吉林大学硕士学位论文第一章引言近年来,随着半导体工艺水平大幅度提高,微波与毫米波雷达和通信系统、光纤通信、快速逻辑和信息处理等方面的应用,使快速电子及光电子器件得到了迅猛发展。在频宽方面,如GaAsMESFET最高振荡频率超过110GHz1.在瞬态响应方面,一些开关器件指标已达到1一10PS,所以,常规测量手段已不能满足需要。高速大规模集成电路的发展,要求测量系统尽可能在不干扰被测信号情况下进行测量,也给测量系统带来新的要求.测量瞬态信号最常用的方法是取样。它依赖于两点基本思想:产生在时间域上比瞬态信号更短的测量信号作为取样门。