【离子束辅助沉积制备的TANTAC和TANC薄膜的结构与性能研究】梅显秀.pdf

目录提要-第一章绪论-.1 引言-.1 薄膜的制备方法 §1 离子注入基本效应及应用-.1 离子束辅助沉积IBAD-.1 国内外离子束研究概况 .1 本文的研究目的-第二章 TaN、Ta(N,C)、TaC薄膜的制备及实验内容-.2 基底材料的制备-2 TaN、Ta(N,C)、TaC薄膜的制备 2 实验分析方法及分析内容第三章薄膜的成份、结构及性能-3 TaN、Ta(N,C)、TaC薄膜的成份-.3 引言-.3 薄膜的成份及元素深度分布-.3 薄膜中各元素所处化学状态 3.

提要本文采用IBAD法制备TaN、Ta(N.C)、TaC三种膜,利用现代分析方法(俄歇深度分析、X射线光电子谱、X射线衍射、透射电镜分析等),分析注入离子能量对膜宏观残余应力、膜基结合力、膜晶粒尺寸以及膜硬度的影响,发现25KeV能量离子注入制得的膜与机体结合最好,宏观残余应力最小注入离子能量对相结构和硬度影响不明显、根据位错亚结构估算TaN薄膜的硬度与文献报道一致

加热、高频加热和电子束加热等。离子镀是Mattox在1963年提出来的,当时用来解决宇航滚动轴承镀全问题,离子镀又可以分为空心阴极离子镀、多弧离子镀、离子团束镀等等.溅射镀又可分为二级溅射、三级溅射、磁控溅射、离子束溅射等等.CVD技术是利用气态物质在固态表面发生化学反应,生成固态沉积物的过程。目前已发展完善的CVD方法主要有:热化学气相沉积的热丝法CVD、等离子辅助CVD、微波等离子体辅助CVD、射频CVD等等.PVD法和CVD法制备的薄膜都不可避免地具有许多缺点,例如:PVD法形成的薄膜与基底的结合力不如CVD法好,而CVD法一般的沉积温度较高,很少低于600C:因此P