【多孔硅的制备和发光机制的研究】车彦龙.pdf

(I),.目录 33多孔硅的时间分辩光谱的研究83多孔硅纳秒荧光寿命的研究4样品表面光电压谱的讨论与分析第二章样品的制备和表征前言多孔硅形成机理多孔硅样品的制备多孔硅样品的表征小结第三章多孔硅的时间分辩光谱和纳秒荧光衰减的研究.3小结第四章多孔硅表面光电压的研究 4.

吉林大学硕士学位论文硅是最重要的半导体材料之一,它在微电子领域已有相当广泛而且重要的作用。但是它在光电子器件方面的应用却无法同Ⅲ-V族和I-VY族化合物半导体材料相比,因为硅是一种间接能隙半导体材料,荧光效率只有 10- ,而且硅的禁带宽度是1eV,其光致发光峰位于1eV,在近红外波段范围内,虽然用硅做成了近红外探测器和光波导,但作为光电子器件中最核心的激光器和发光二极管却今还不能用硅来做。在可见光区城互作的光电子器件,主要还是采用Ⅲ-V族和Ⅱ-И族化合物半导体材料,但这些材料质量和制造互艺远不如硅完善,大规模集成更为困难,而硅的超大规模集成技术却可以说已

吉林大学硕士学位论文进行了研究,并得出了一些结论性的结果。同时对多孔硅发光机制成为人们关注的焦点,但由于发光机制较复杂,受很多的因素影响,有许多不同的看法。主要有以下几种观点:一.量子限域观点(1,10-14]。认为由于硅量子线的形成使有效禁带或能级间距增大,辐射复合的发光移向高能量。一些作者认为(11,16],荧光起源于电化学腐蚀残留下的晶体框架,它们是类似羊毛团状的量子网络。有些研究提出复合过程是低维度(一维或零维)结构中的激子过程[17)。HREM分析的结果(18],对量子尺寸效应是一个有力的支持。