【准分子激光选择CVD淀积SnO2薄膜】姜喜兰.pdf

吉林六学项士诊文提要准分子激光选择CVD是八十年代发展起来的的一种新兴技术,与准分子激光曝光、准分子激光刻蚀和准分子激光掺杂一起构成了准分子激光微细加互技术的主体。它利用激光能量使源气体分子分解或促进表面反应从而实现薄膜生长,因其具有低温、高速、低损伤、高分辩率、易控制和选择性强等突出优点,在半导体VLSI和集成光电子器件中有重要应本文介绍了激光CVD尤其是准分子激光选择CVD的发展概况,阐明了准分子激光CVD淀积薄膜的原理和机制,利用Ar(193nm)和KrF(248nm)准分子激光,在国内率先实现了Sn0 薄膜的淀积及无掩膜一次成型选择性生长,详细分析了淀积速率与激光

吉林大学硕士论文 —光CVD/激光CVD Plasma CVD 热CVD RF、电子来加热算第一章引言 1激光CVD技术的引入激光CVD是利用激光能量使源气体分子分解或促进表面反应从而实现薄膜生长的一种新兴技术。它的研究是从1978年C.P.Christensen和K.M.Lakin利用CO激光器激励SiH淀积Si薄膜开把激光引入半导体器件的制作五艺,主要基于以下二个目的:首先是为了避免热五艺所必然带来的晶体中的缺陷产生和杂质再分布,利用激光能量实现工艺过程的低温化.

特征在红外区城高效率、高功率能选择杂数的波长控制发射能有多种多样的五作模式,在红外区城输出高功率客易变接成周期倍频的短波长在可见区城CW高功率在UV区城0.0μm范国输出功率能达5W 在紫外区城输出高功率 1激光CVD的种类激光CVD的激励光源具有相干特性,其波长选泽注好,而且照射时间和照射强度在很大范围内是可变的.因此能够选择多种多如表1所示,为激光CVD常用各种激光光源的种类和特征.五作模式脉冲 CW 脉冲 CW Q开关激光 CW 波长短脉冲陈冲宽度小易控制选择性强表1激光CVD的光源种类与特征由表1.