[多孔硅制备形成机理及以多孔硅为衬底的赋能低温减压光CVD研究]李晓天

【多孔硅制备形成机理及以多孔硅为衬底的赋能低温减压光CVD研究】李晓天.pdf项士学位诊义:多孔硅制备、形成机理及以 多孔硅为衬底的赋能低温减压光CVD研究 作者,率晓天 指导教期:刘明登款投 徐宝琨副教境 专正:半导体材料 时 同:一九九二年六月一日提要 采用HF一醇溶液法制备多孔硅,提高了游离F一的浓度,改 善了电解液与硅片的润湿性,有利于形成均匀完整的多孔硅。在非 光照条件下,制成N型多孔硅,利用红外光谱、X一光双晶衍射、SEM对多孔硅质量进行检测,以TEM为研究手段,对多孔硅的 形成机理进行了深入的探讨,利用H2一SiH。体系的赋能低温减压光CVD法,以多孔硅 为衬底,在温度700.850℃、压力1Tor1左右、硅烷流量20.35sccm 的实验条件下,获得镜面光亮的硅外延层。等离子体可用于外延前 的清洁处理,以获得清洁有序的衬底表面:通过访论激活能对反应 动力学进行了探讨。用扩展电阻法测得外延层/衬底(掺B、
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