【多孔硅制备形成机理及以多孔硅为衬底的赋能低温减压光CVD研究】李晓天.pdf

项士学位诊义:多孔硅制备、形成机理及以多孔硅为衬底的赋能低温减压光CVD研究作者,率晓天指导教期:刘明登款投徐宝琨副教境专正:半导体材料时同:一九九二年六月一日

提要采用HF一醇溶液法制备多孔硅,提高了游离F一的浓度,改善了电解液与硅片的润湿性,有利于形成均匀完整的多孔硅。在非光照条件下,制成N型多孔硅,利用红外光谱、X一光双晶衍射、SEM对多孔硅质量进行检测,以TEM为研究手段,对多孔硅的形成机理进行了深入的探讨,利用H2一SiH。体系的赋能低温减压光CVD法,以多孔硅为衬底,在温度700.850℃、压力1Tor1左右、硅烷流量20.35sccm 的实验条件下,获得镜面光亮的硅外延层。等离子体可用于外延前的清洁处理,以获得清洁有序的衬底表面:通过访论激活能对反应动力学进行了探讨。用扩展电阻法测得外延层/衬底(掺B、<0.

行器件隔离。尽管在材料和器件上取得一定的进展,但由于当时严质外延的困难及缺乏商业竞争力,这项互作没有进一步发展:进入八十年代以来,SOI技术得到迅速发展:高能氧离子注 tation)[2]、氮离子注入法(SIMNI)(sepaiatioEbyimpiant: nitrogen)[1l、硅片面键合法(wafe1bonding)[3l、溶融再结晶法(ZMR)(meitingrecrystailizationofdeposited amorphons or polycrystalline silicon)[4].