[氧化物VPE法选择外延生长GaAsInp]于秀珍

【氧化物VPE法选择外延生长GaAsInp】於秀珍.pdf林大学 学位论文 氯化物VPE法选择外延生长GaAs/InP 专 业:半导体物理与器件 作 者:于秀珍 指导教师:刘式墉 吉林大学半导体 一九九〇年84。2外延层中的热应力分析 S4 减小热应力的分析选择外延平面化的理论分析 S4 实验工艺及结果 参考文献第五章选择外延生长的GaAsInP复合 衬底上GaAsMESFET的制备.S51引言.6 器件的制备及测试结果 参考文献 结束语第一章前言 外延技术是一种具有历史渊源而又迅速发展着的晶体生长技 术。实验室的研究早在十九世纪初期就已经开始。到了十九世纪 中叶Frankenhein就发现了在溶液中硝酸钠可以生长在方解 石上。二十世纪初期Royer引入“外延”一词。随后人们 不断提出和改进外延方法。外延方法种类很多,在半导体工艺中,常用的有VPRLPEMOCVD、CBE等。这些外延方法都各有其 特点及应用范围、其中气相外延是一种发展较早而且比较成熟的 工艺,它具有广泛的适应性,无论是化学体系的选择和工艺参数 的控制,抑或工艺规模的大小及对有关工业化工艺处理的适应能 力皆源于此.在VPE技术中,很早就提出了选择外延。
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