【氧化物VPE法选择外延生长GaAsInp】於秀珍.pdf

林大学学位论文氯化物VPE法选择外延生长GaAs/InP 专业:半导体物理与器件作者:于秀珍指导教师:刘式墉吉林大学半导体一九九〇年

84。2外延层中的热应力分析 S4 减小热应力的分析选择外延平面化的理论分析 S4 实验工艺及结果参考文献第五章选择外延生长的GaAsInP复合衬底上GaAsMESFET的制备.S51引言.6 器件的制备及测试结果参考文献结束语

第一章前言外延技术是一种具有历史渊源而又迅速发展着的晶体生长技术。实验室的研究早在十九世纪初期就已经开始。到了十九世纪中叶Frankenhein就发现了在溶液中硝酸钠可以生长在方解石上。二十世纪初期Royer引入“外延”一词。随后人们不断提出和改进外延方法。外延方法种类很多,在半导体工艺中,常用的有VPRLPEMOCVD、CBE等。这些外延方法都各有其特点及应用范围、其中气相外延是一种发展较早而且比较成熟的工艺,它具有广泛的适应性,无论是化学体系的选择和工艺参数的控制,抑或工艺规模的大小及对有关工业化工艺处理的适应能力皆源于此.在VPE技术中,很早就提出了选择外延。