【氧化铍薄膜的生长和性能研究】卢志玉.pdf

氧化铍薄膜的生長和性能研究卢志玉指导教师:赵慕愚徐宝琨一九九0年五月吉林大学毕业论文用纸

摘要随着微电子工艺何着大功率,小体和,高集成方向的发展,高功率器件中的散热向题,已经越来越引起人们的注意。由于氧化铍材料所具备的极好的导热性能舱,并兼具备良好的电绝缘性能,这些综合性能,使得氧化铍材料的利用成为解次上述散热问题的有效途径之一.本文采用热解CVD方法,用自行合成的源在源区温度 250～330°,沉区温度440～ 650°℃条件下,生了氧化银薄膜,并对膜的性质作了初步探讨。用红外永和又光电子能谱侧试并讨论了沉和条件对氧化薄膜的化学组成的影响,用随偏则厚仪测量了膜的折射率和厚度,并用干涉法校正了厚度值,定何刻蚀,电容法刚量得到的膜的介电常数在4.6之间,并将氧

3司用氧化铍良好的综合性能,制备出可望用于光电子集成器件及其它电子四件的高质量的Be掩蔽介质膜.1一2氧化材料斗的重要性质前人对氧化银的性质已经作过很多研究,我们只就就我们在论文中所涉及到怕的内容,对氧化铍的性质作一简略介绍.1 一 2 一1.氧化皱的热性能 A.氧化的热导率氧化皱具有非高的热导率,明显超过许多氧化物热传导率入(瓦/米C)BeO A1,O SnO.