[氧化铍薄膜的生长和性能研究]卢志玉

【氧化铍薄膜的生长和性能研究】卢志玉.pdf氧化铍薄膜的生長 和性能研究 卢志玉 指导教师:赵慕愚 徐宝琨 一九九0年五月 吉林大学毕业论文用纸摘 要 随着微电子工艺何着大功率,小体和,高集成方向 的发展,高功率器件中的散热向题,已经越来越引起人 们的注意。由于氧化铍材料所具备的极好的导热性能舱,并兼具备良好的电绝缘性能,这些综合性能,使得氧化 铍材料的利用成为解次上述散热问题的有效途径之一.本文采用热解CVD方法,用自行合成的源在源区温度 250～330°,沉区温度440～ 650°℃条件下,生了氧化 银薄膜,并对膜的性质作了初步探讨。用红外永和又光电 子能谱侧试并讨论了沉和条件对氧化薄膜的化学组 成的影响,用随偏则厚仪测量了膜的折射率和厚度,并用干涉法校正了厚度值,定何刻蚀,电容法刚量得到 的膜的介电常数在4.6之间,并将氧3司 用氧化铍良好的综合性能,制备出可望用于光电子集成器件 及其它电子四件的高质量的Be掩蔽介质膜.1一2氧化材料斗的重要性质 前人对氧化银的性质已经作过很多研究,我们只就就 我们在论文中所涉及到怕的内容,对氧化铍的性质作一简 略介绍.1 一 2 一1.氧化皱的热性能 A.氧化的热导率 氧化皱具有非高的热导率,明显超过许多氧化物 热传导率入(瓦/米C)BeO A1,O SnO.
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