【快速1.3μmInGaAsPInP台面边发光二极管】赵蔚.pdf
论文题目:快速1umInGaAsP/InP台面边发光二极管 专业:半导体物理与半导体器件物理 作 者:赵蔚 导师:高鼎三教授 一九八九年六月
目 序号 标 题 页码 有源区故意掺杂与非故意掺东、调制带宽的比较31 辐射远场图 子 结束语 参考文献 八
一引言 快速 1μm InGaAsP/Inp发光二极官(LED)可用在中短距离 大容量的光道信系统中。它与激免四相比,发光二极官转易 制造,可靠性向,比较便宜,使用寿命可高达10亿小时,驱 功电路间单,在不断变化的温下性能也比转稳定,发光 二极管适合于那生要求有限的带宽和中短传输距离的应 用,而连续工作的激光四适合于要求高码速和长距离的 应用困而对那坐通信距离不太长的局部网络光传输系统 来说,发光二极官光源是更为适宜的.发光一极官从结构上可行为面发光二极官(SLED)和边 发光二极官(ELED),两种LED的结构B光谱特性如图(1),(1-2)所示[1] LnP(zn) S0z/Z