[半导体物理与半导体器件物理]李玉东

【半导体物理与半导体器件物理】李玉东.pdf新型三段大光腔半导体激光器的研究 专业:半导体物理与半导体器件物理 李玉东 指导教师:高鼎三刘式 完成时间:一九九0年四月目录 第一章绪言 参考文献 第二章新型三段大光腔激光器理论设想的提出 一、传统L0C结构的特点及局限性 二、三段LOC激光器的设想 三、三段LOC激光器具有纵模选择作用 四、两种三段大光腔激光器具体结构提出 参考文献 第三章三段LOC激光器结构参数的选择 一、为垂直结平面方向实现基模工作的波导参数选择 二、三段L0C激光器垂直结平面方向近场光强分布特点25 三、沟道台面衬底三段L0C激光器侧向模式控制四、沟道双脊衬底三段LOC激光器侧向模式控制 32 参考文献 第四章两种三段LOC激光器的制备技术 一、沟道台面衬底三段LOC激光器的制备技术 f.第一章绪言 室温连续输出的单模高功率GaAlAs/GaAs半导体激光器在许多 领域如音频及视频光唱盘,激光打印,数据存储等有很好的用途.采用单模高功率激光器作光源,能增强光盘响应,提高记录速度,并可获较高的回读信噪比,降低误码率。在激光印刷中,高功率 输出对提高印刷速度有一定作用。用大功率半导体激光器代替He 一Ne激光器,不仅成本低,体积小(二极管激光器体积仅为气体 激光器体积的1),而且在工作时,不需预热,可立即接通运转.对于输出功率在5mW范围的单模激光器一般应用在短距离光纤通 讯及光唱盘的读出上,而用于激光印刷机或光学存储盘上写入的 激光二极管,则必须至少发射10毫瓦的功率,对
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