【半导体物理与半导体器件物理】李玉东.pdf

新型三段大光腔半导体激光器的研究专业:半导体物理与半导体器件物理李玉东指导教师:高鼎三刘式完成时间:一九九0年四月

目录第一章绪言参考文献第二章新型三段大光腔激光器理论设想的提出一、传统L0C结构的特点及局限性二、三段LOC激光器的设想三、三段LOC激光器具有纵模选择作用四、两种三段大光腔激光器具体结构提出参考文献第三章三段LOC激光器结构参数的选择一、为垂直结平面方向实现基模工作的波导参数选择二、三段L0C激光器垂直结平面方向近场光强分布特点25 三、沟道台面衬底三段L0C激光器侧向模式控制四、沟道双脊衬底三段LOC激光器侧向模式控制 32 参考文献第四章两种三段LOC激光器的制备技术一、沟道台面衬底三段LOC激光器的制备技术 f.

第一章绪言室温连续输出的单模高功率GaAlAs/GaAs半导体激光器在许多领域如音频及视频光唱盘,激光打印,数据存储等有很好的用途.采用单模高功率激光器作光源,能增强光盘响应,提高记录速度,并可获较高的回读信噪比,降低误码率。在激光印刷中,高功率输出对提高印刷速度有一定作用。用大功率半导体激光器代替He 一Ne激光器,不仅成本低,体积小(二极管激光器体积仅为气体激光器体积的1),而且在工作时,不需预热,可立即接通运转.对于输出功率在5mW范围的单模激光器一般应用在短距离光纤通讯及光唱盘的读出上,而用于激光印刷机或光学存储盘上写入的激光二极管,则必须至少发射10毫瓦的功率,对