【锥体附面层及其在立式CVD反应器中的应用】范士杰.pdf
吉林大学 研究生毕业论文 1989年4月
目录 序号 标 题 页 码 锥面速度附面层 S 二 锥面质量附面层 三 截锥速度附面层 四 在立式cwD反应器中的应用 附表与附图
化学气相淀积(CvD)是近一.二十年发展起来的制备 半导体材料的彩技术,目前广泛应用于握绝物质、研制 新器体.淀积多种学品.多品无机苷膜材料。CVD反应然 分为到式和立式两种,共中立式及应四近几年才引入我国 对反应四多种参数与没计,日前主要通过大星实验案摸索.为了提方材斜制备的水平,必弱加经积过程的基础开 究。关于把流体力学的结累引1入到CUD投术中,先后已有 许多人做了这方召的工作,但总的说素并非完善,特别是对 立式反多四更是如比.日前CVD反应四中使用的基在大体可分为三种类型.柱石,石和水平石,其中哉锥形基生广汪应用于立式及 应四中。