[等离子体化学气相沉积法制备氮化碳薄膜的研究]岳万刚

【等离子体化学气相沉积法制备氮化碳薄膜的研究】岳万刚.pdf等离子体化学气相沉积法 制备氨化碳薄膜的研究 The Investigation of Carbon Nitride Film PreparedbyPlasmaEnhanced Chemical Vapour Deposition(PECVD) 专业:物理化学 研究方向:功能材料的 物理化学 岳万刚 指导教师:赵慕愚 徐宝琨 一九九二年六月长春绝缘性能-七 化学稳定性 八 结果与讨论 九 结论-第四章Si0xNyCz薄膜的制备和性能研究 Si0xNyCz薄膜的沉积条件 三 Si0xNyCz薄膜的性质 四 结论 参考文献-致谢-摘要(中文)1-4 摘要(英文)-1-4第一章绪论 一、等离子体化学气相沉积法及其发展状况 1974年莫托活拉公司引进减压代学气相沉积法(LPCVD 用放半导存工业,尔后又引进等离子体增强CVD技术,从此CVD 技术了到了惊人的发展。来用等离子转技术的结学气相沉积 法又称等离子体增强(或悔化学气相沉积法(PECVD)定是书 面科学舒域迅连发展着的一种朴常方前途的转技术.PECVD最是内美国通用电子公司的一些于科学家发居起素 的？后来此活很快被用于制希禁成地脉片的纯比膜。以梦用 CVD活制备氧化硅纯化膜时,温度需达到70℃,往之会把体成 使路气上的主品重属化膜破坏。采用射频等离体后,基片温 度只要过列了5℃就写.
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