[掺半导体微晶纳米材料光学性质的研究]胡振华

【掺半导体微晶纳米材料光学性质的研究】胡振华.pdf论文题目:掺半导体微晶纳米材料光学性质的研究 作 者:胡振华 指导教师:费浩生教授 一九九二年六月吸收,则委仙人于体相半马体。从赞先光满看,要子交较,样品不仅存在表雨缺临能的然迁如赞变,深,而且也存 在1S一SA的低激子态较弱后荧走等.使一整子尺寸较大 血择品仅出现陷阱能级迁出荧走带。在微发走语 中,也观察到了这两种样品的走语有明且不同,年子天寸较 小山样品出现了多个峰,这些峰分别对应于15一1SA,1s*-1S,1p-1PA 4121da-1dμ之学近,而样1仅有 一够则对多于带隐跃迁。从立些成性走谎发现,景 子尺寸的大十会促微晶的光学性预发生很大弯化 年四章是本文的核心内容之;首生会点了闭相经苦轮 技求对这而种推品心三阶电极化率点流了信果,环量子只 寸够大机量了寸小的心容验分别了没目录 提要 第一章 前 宫 第二章 量子点的基本理论 第三章 CuSexSI坡璃的制备及其光学性质 第四章 CdSeS波璃的非线性先学性质的研究 第五章 激子的吸收复合時间的测重 第六章 结论 第七章 附录 参考文献
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