【族化合物半导体异质结表面介面的研究】程强.pdf

题目:Ⅲ一V族化合物半导体异质结表面介面的研究专业半导体物理与器件作程強指导教师__王贤1=副教授

第1页摘要本文利用射线双品衍射,俄歇电子能谱(AES)和二次离子质谱(SIMS)等先进分析手段,集中研究了LPE生长的InGaAsP/1nP异结结外延层和MBE生长GaAAs/GaAs异结质外延层。利甩X射线双晶行射方法,给出了外延,层的晶格失配,夜力应变和当此引起的晶格失配情况,分桥了外恐生长工艺中一些因素对外延晶体质量的影响,结会动力学理论模型对射线双晶行射迎摆曲线进行了模抓计算.我们还利用AES和SIMS深度分析方法对外延样品进行了深度分桥。特别是首次利用化学斜面法为MBE样品进行了研客。

第3页言表面科学是当前国际上最活跃的学科之一;它涉及物理、化学、材料和电子等许多学科和领城,每年发表论文数以千计。表面科学虽然理论性很强,但它却能解决许多突际问题。尤其是对半导体的界面。它巴括半导体一半导体,金属一半导体,个质一半导体界面的研空,对光电材脚等外延质量的评价和对器件性能的影响都具有十分重大的意义.本交主要以四一V族化合物半导体的异质外延GaAlAs/GaAs和JnGaAsP/InP为对家,呆用实验为基础,理论实验相结合的方法,在对材料外延质量进行评估的同时,改进表面分杆技术,从而推进这一学种的发展.外延层略格失配.