【新的绝缘掩蔽介质材料-氧化铍介质膜的研制】杨红.pdf

一物理与半导体器件物理红徐三现副教授文一介民材科与化级介质*的限制

第1页吉林大学学位论文用沉要随着微电于工艺向着高功率、高集成、小体积方向的发展,对掩蔽介质膜的制备及其性能的要求越来越高,因为器件芯片的散热问题直接影响着功率性能和集成度的提高,这就要求人们能研制出导热性更为良好的拖绝缘介质膜。由于氧化铍薄膜材料具有优良的导热性及其它良好性能,使得氧化铍薄膜可以作本文采用自己合成的碱式甲酸铍为源,利用CVD方法,在沉积区温度440.650C,源区温度250.330C,氮气为载气的条件下,沉积出了氧化铍薄膜,并对薄膜的特性作了初北探讨。

吉林大学学位论文用纸 BrO CaO,MgO AlO SnOZno TiO,CeO ThO,UO, HIO, ZrO(稳定态)有装种具食事为回热写率明显超过首多氧化温度(C)西-1氧化访陶民有扫热导率与福度的关系应中曲鼠所给时软宝可香出,在室温下,氧化镀白:写车超0试成的致密制品的七倍2],它超技？,铭、课、品,有结接翔的碳化硅,透明石英现璃等材付,且和铝、铅的热导率大致相等,接记要氧化该热与率的影很大,在下图中我们山:同哎下的氧化铍热导率与温度的关系曲线。