【可见光半导体激光器】刘颖.pdf

题目:可见光半导体激光器专业半导体物理与器件作者刘颖指导教师高鼎三教授.张晓波博士

第1页摘要本文在介绍和分析了日前国内外可见光半导体激光器的工艺过程和特性的基础上,阐述了我们提出并研制的一种新型的、工艺嵩单的特性优良的半导体双异质结激光器,也就是“阶梯衬底内条形激光器(TerraadSubstrateInerStripe iasens) 英文.缩写为TSISLD。这永中激光器场地利用了非平面衬底液相外延的生长特性,使电流隔离层和四层双异质结构一次液程外延完成。波长范围α75um一0um,直流国值最低50mA,光功率线中性最高15-20 mw,2一4I从基模工作,无理论上分析了该结构器继可靠性改善的原因,寿命考核表明4W工作寿命超过六千小时。

第3页年,松下电嚣公司用双异质结结构,首次突现室遇下0:um可见光CW工作。1977 年后,0？0um人上波长白GaxAxAs可尼光普遍实现室温连续工作。后经可靠性研究和性能改进,078um波段的可见光LD于1979 年作为商品器件向世,用做小型数字声频光盘专用光源。按照波长划分,人们把76 波段的GaxAA可见光激光器称为第一我可见光激光嚣。19起年后可见光激光器开始转向提高功率和缩短波长。分子束外延(MB 和有机金属汽相淀积(MOCVD)的出现不双实现了a78umGaAAs LD的大批量生产,也使 GaAAs材斗的LD大功率InGaAP等四化合物材料短波长化成为可能