[可见光半导体激光器]刘颖

【可见光半导体激光器】刘颖.pdf题目:可见光半导体激光器 专 业半导体物理与器件 作者刘颖 指导教师高鼎三教授.张晓波博士第1页 摘要 本文在介绍和分析了日前国内外可 见光半导体激光器的工艺过程和特性的 基础上,阐述了我们提出并研制的一种 新型的、工艺嵩单的特性优良的半导体 双异质结激光器,也就是“阶梯衬底内条 形激光器(TerraadSubstrateInerStripe iasens) 英文.缩写为TSISLD。这永中激光器场 地利用了非平面衬底液相外延的生长特 性,使电流隔离层和四层双异质结构一次 液程外延完成。波长范围α75um一0um,直 流国值最低50mA,光功率线中性最高15-20 mw,2一4I从基模工作,无理论上分析了该 结构器继可靠性改善的原因,寿命考核表 明4W工作寿命超过六千小时。第3页 年,松下电嚣公司用双异质结结构,首 次突现室遇下0:um可见光CW工作。1977 年后,0？0um人上波长白GaxAxAs可尼光普 遍实现室温连续工作。后经可靠性研究和 性能改进,078um波段的可见光LD于1979 年作为商品器件向世,用做小型数字声频光 盘专用光源。按照波长划分,人们把76 波段的GaxAA可见光激光器称为第一我 可见光激光嚣。19起年后可见光激光器开 始转向提高功率和缩短波长。分子束外延(MB 和有机金属汽相淀积(MOCVD)的出现不双 实现了a78umGaAAs LD的大批量生产,也使 GaAAs材斗的LD大功率InGaAP等四化 合物材料短波长化成为可能
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