【在GaAs衬底上用热壁外延生长CdTe及特性研究】杨慧.pdf
页 在GaAs衬底上用热壁外延生长CXTe 及其特性研究 杨慧 87E 吉林大学学位论文用纸
第 目录 一.引言 1.CdTe可用作比gcdTe的外延衬底 2.固内外生民C化薄膜的概光 二.在GaAs衬底上制备 ClTe单晶薄膜.HWE根免况 了.设计的 HWE装置及cdTe薄膜生长 三.CtTe/GaAs薄膜的测量与分析 1.表面形貌 2.组分分析 3.X射线衍谢分析 四(dT他外延层的光致发光) 1.光致发光光谱测量 2.光致发光光谱分析 五.Znse的割务与检浏 六.结论 致谢 87.
第2页 半全属半全属一体半导体 过渡 0 0 40 图2Hgt-xCdxTe禁带宽度(80K)图1.混合晶体Hg-xCdxTe由半导体 向半全属的过渡 因此这物混合晶体在远红外光的检测方面受到重视,制作的红外探测器,有很宽的波长复盖,而且介电常数十 光吸收系数大,电子.空穴迁稳率比高。H1-xCdxTe被认 为是目前最有发展前途的红外探测器材料.由于CdTe晶体与g-xCdxTe都是内锌矿结构,且晶格 常数相匹配,困而选择CtTe为外延HCdTe薄膜的衬底 材料是十分自然的.2.国内外生长CdTe薄膜的概况 dTE作学CdTe的衬底材料是理想的。