【双硅源选择外延及侧向过外延生长特性的研究】缪国庆.pdf

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双硅源选择外延及侧向过外:延生长特性的研究 半是本物理与半导体器件物理 专 Vy 缪国庆 者 刘明登教授 指导教师页 G 6.侧向过外延层与常规外延层质量比较 五、结论 致谢 参考文献 7,.C9318 吉林大学学位论文用纸第2页 一、前言 1.历史背景 陇静集成电路工业的发展,绝缘隔离(D1)硅单品层 的技术白被广泛应用。目前,SOS技术(S1con OnSaPPhIre)E用于cMOS器件的制作,但 是,件的少数裁流子寿命低,SOS衬底无法接地,不能 提供零电位,出现耦合电容之间的信号反馈,没有实现三维 翻件的潜力。另一种DI过程是利用多晶硅来进行的,但是 其过程复杂,这就限制了DI技术的应用,为此,人们意切 需要寻找一种方法,从而既能获得硅单晶层,又使工艺简单 、造价低.另一方面,对于集成电路前沿领域的研究,人们希望在 高密度、高速度、低功耗、通用性以及高可靠性等方面获得 新的突破。