【阶梯衬底内条形短波长半导体激光器】邹峥.pdf

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阶梯衬底内条形短波去 半导体激光 专业:年导体物理与婴付 邹峥 指导教师:高鼎三.第 页 为了开制短波去半导体激走然,我们在刻 有倒梯形名阶的衬底上进行液相外连生长,制送“阶梯衬底内年那”短波去激之然,一次完我电流隔 离层和回层2双异质结构的生长。巧妙地利用了液相 外延的特性。第一星(电流隔离层)在点所的肩角处 生苦不上,从而形我电流直洛。件如波去可达.0μm.阀值电流可达35mA,具有良好的装 模特性及较高的微分孙量子效幸。电流通路绝 和内在的波导结构自对准。通过控制外延柔件.可以得到背形折身幸波导结构,半增益半折射弃 波导结构,半漏波导结构,全漏波导结构等回种 波导结构。为了保证能形我电流通路和使有源 飞在质量较好的易体上生长,我们送用型衬底。第2页 还有较大差距,正需要我们迎头赶上.半导体激光器用独特的抽运方式乙作一 载流子注入使之实现粒子数反转,和其它激之然 相比具有体积小,重量轻,耗电少,效率高,响 名快,易调别等优点。半导体激走然的研完发 展历史并不长,它是在天十年代初发展起来的.一九天0年,Bosrv提出p一n结注入的我流子的 复合了引起受激发射,以后不久Bernarl和 Durafrwry推导出了在半导体中爱激发身的心 要条件。一九二年Hall,Nathan和Qaist芽人 用2n抄散在n型Ga小中形P-n结,再舒理 成法布里一的罗谐振壁,制得了同质结的激光。