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氧化氮化硅膜的沉积和性质研究赵凤云指导教师:赵慕愚徐宝琨

一.提要随着微电子口艺,的发展,对高质量绝缘膜的要求越来越高.众所周知,作为绝缘膜的代表主要有Su膜和SN膜。Si膜兴有较大的介电常数和较高的折射率和致密没,而Sa膜则兴有良好的界面性。氧化氮化碎膜中手和口了Sa和SiN膜的优点,有很高的应用价值.本文采用由K稀释的3。SH和含有一定量的NO的2业氨气为源,在13 mH2的高频作用下,在温度250℃一340℃、功率120W-170W条件下定积氧化氮化硅膜,并对膜的特性了初步的操讨; 用×光电子能谱对膜的组成作了半定量测堂:间5DX一傅利叶变换红外分光光度计研究了膜中各种键与制备条件关系; 用He一Ne激光椭偏测厚仪测量

细密,阻止外部杂质侵入能力强,并且因其介电常数大,在施加电压时内部电场小。这些特点是半导体工艺应用所期望的,且氮化硅膜中存在着多数载流子的俘获能级,正被MNOS(金属一氮化物一氧化物一半导体)型的固体存贮器所采用.氮化硅按化学计量具有Si;N4 的组份(N/S: =133), 其组份随生长条件变化,一般是富硅成份,因而一般将氮化硅膜写成SiN 膜。这里也用SiN表示氮化硅膜。已知道SiN膜中含有除氮,硅以外的元素如氧和氢。由于氧同硅结合的几率很大,只要有微量的氧存 SiN膜的制备方法很多。