【用於单片集成发射机的正装半绝缘衬底GaALASGaAs掩埋异质结构BH激光器】沈澎乔.pdf

题目:用于单片集成发射机的正装半绝缘衬低GaA1As/GraAs掩埋异便结构(13H 激光器专业:半导体物理半导体器件沈诗乔指导教师:刘式墉教授与大学学位文用

一引言单片集光电子器件(简称1OE(或EIC),是将光学、电学之件集成于同一片冠底之上,以实现多种功能的半导体器件。其中,光学器件包括激芝然(LD)光挥测器(PD)、光波导等;电子器件划构成驱动电路,放大电路等么。单片集成光电子器件可以将光、电信号进行高速的转换,它在光纤通讯、信息处理,以及系统的光互联等方面头有广泛的应用.与光学、电学器件分易制作子不同付低之上的混合华成器件相比,单片集成光比子器件其有体积小、重号轻、可靠性好、响应速胜快、伴随躁声小、成点年高、成本低等诸多优矣。而且,集成还可以使器件性能优化。

高(般发为10.10c²[4],[5],[6]),使漏极电流深移,使下ET的跨导很低.对结型场敏应管JFET米说,同MESFET 相心,丁FE下有拥较长这个由制做过往带来的问题。一般来说,MESFET的栅长由被很窄的光刻所限定的金属笨来决定;而下ET的梅是通过掩膜,对沟道区进行扩散或离子注入形成的。高温扩散或谁活过程导致树论着沟道横向扩展,扩展轻度几乎等于抄散深度。这样,梅长一般为2.3μm[7]。而长FET 导致较低的跨导和放大增益。