[适于单片集成光发射机的沟道半绝缘GaAs衬底GaALASGaAs掩理异质结构BH激光器]张皓月

【适於单片集成光发射机的沟道半绝缘GaAs衬底GaALASGaAs掩理异质结构BH激光器】张皓月.pdf题日:适于单片集成光发射机的沟道半 绝缘 GaAs 衬底 GaAl AS/GaAs 掩埋异 侦结构(BH)激充器 专业:半导体物理与器件 张皓月 指导教师:刘式墉 教授 R7.目录 序号 标 题 页码 引言 沟道 SI GaAs 衬底上 正装 二 GaAl As/GaAs BH 激光器的 设计与制做 器件的特性及分析 三 结束语 参考文献 五 7.第2页 流下高速调制,为了与电子器件的电 学参蚁兼容,激光器的值电流 要低。另外,激光器是正装的,从衬 低散热,因而阀值电流低有利于温 度特性的改善,在EICS中,激光器 主要有用 M0 CVD 及 MBE方法制做的男 子阱激光器,用 LPE方法制做的叫 结构的激光器 在GaAs OEICS中,电子器件主要 是MESFET, 因为这种材料的肖特基势 垒高(0eV)。另外还有异质结双极晶 体管,因为其只有高迷、高电流2作 的能力.目前,单片集成的光电器件有两神 结构。一种为垂直结构,即光电器件 与电子器件相继地生长在同一衬底上,用绝缘材料做隔离。
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