[氧化物-----IIIV族化合物半导体的界面特性]赵军

【氧化物-----ⅢV族化合物半导体的界面特性】赵军.pdf氧化物 —亚族化合物 半导体的界面特性 专业:半导确物理与器件 导师:刘文明教授 8159*青体大学学位定,考第 页 MosHal 样点的试 七:结论 56-58 附记 附录 G-68 参芳文献 69-70,69:16 大学学.第1页 引 言 近些来,亚一族化合物半导体材料和器 伴如发非常引人法目,也们可以广冷地国于 数学电强、模拟电、微波然仲和光也哭件的 剑作。同前,人们已经闭它们成功地别选出了 激光器、发光二地管心收远应于微波通讯的MES FET(全属一半导你场效应晶你管)世分亚器件,在 此梦础上,人《在碰别基于亚族化今物半 导体材料的单片集成电此。由于亚口族代合物 半异你材料其有较高的迁稳年,田它们划作的 件如尺寸可心边一步霜小,四此在实现方建 氛大规横柒成方面有着更大的发屡力,用世下 族化合他半异你材料别作的具有越名建和弹道 翰远甘效应的就哭伴飞在不断她涌观出来。
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