【复杂量字阱中的浅施主态研究】金锦炎.pdf
页:复 复杂量子阱中的浅施主态研究 专 业:半导体物理 与半导体器件物理 作 電者:金锦炎 指导教师:刘文明教授 吉林大学毕业论文用纸
第 页 目录 序号 标 题 页 码 1-3 4-14 4-8 8-13 13-4 三 15-44 AA牛 15-16.中中科 17-18 f 18-20 8z-1z 3 28-29 29-29-32 t.
第一页 一引言 不同种类两种半导体材料具有不同的带隙,因此相接融 时形成的异质结的界互处,寻常.价带边出现旁曲,构成了电子空 穴的势阱和势垒,如果周期性交替生长多层异质结构,就在导带 低.你带高的材料层形感电子、空穴的势阱层,另一材料为势坐层,这种多层势阱层、努垒层的材料交替用期排到的结构即为超晶格.起晶格材料的要求是每一层,特别是势阱层的厚度要小于自由 比子的平均自由程和dBnglia波长,使电子静空穴在势垒的 限制下的立动呈量子化状态。